人妻丰满熟妇AV无码区APP,全彩工口全肉无遮挡人妻,丰满女子BBWBBWPICS,ZLJZLJZLJZLJ喷水

  • <nav id="usomw"></nav><nav id="usomw"></nav>
    語言切換
    新聞動態 news 創新培訓理念,研發成果領先

    新聞資訊

    News
    Hot Products / 熱賣產品
    2020 - 07 - 27
    AF-32E為永創精心研發的第三代全自動燒錄系統,可以實現托盤,卷帶,管裝來料方式進行全自動芯片燒寫。且支持不同IC種類封裝,如QFP,SOP,TSSOP,PLCC,TSOP,QFN,BGA等一些芯片封裝形式的芯片燒寫,最多可支持32顆芯片同時燒寫。 ² 可搭載4臺全功能型F-800U編程器 ² 最多可支援32個socket同時工作。&#...
    2019 - 07 - 12
    搭載最新一代 F-800U UNIVERSAL ProgMaster 高速萬用燒錄器(可支持定制燒錄器),提供全方位自動化燒錄解決方案。無論是托盤、卷帶或 料管包裝的 SPINAND/NOR FLASH、EEPROM、eMMC、MCU等不同系列的可編程 IC 皆可在系統上進行自動化燒錄。AF-32E 搭配4臺 F-800U萬用燒錄器(可支持定制燒錄器),提供 32 個燒錄座,提供高速穩定的效能,讓...
    2019 - 07 - 12
    AF-32P為永創精心研發的第三代全自動燒錄系統,可以實現托盤,卷帶,管裝來料方式進行全自動芯片燒寫。且支持不同IC種類封裝,如QFP,SOP,TSSOP,PLCC,TSOP,QFN,BGA等一些芯片封裝形式的芯片燒寫,最多可支持32顆芯片同時燒寫。 ² 可搭載4臺全功能型F-800U編程器 ² 最多可支援32個socket同時工作。&#...
    2019 - 03 - 30
    可用于更高精度和產能要求的場景取放極其精準:采用日本進口研磨靜音級絲桿搭建的傳動系統,上下進口CCD識別系統。架構久經檢驗:從AF-32系列到AF-48系列,經驗的積淀。操作更便捷:立足OP視角,讓操作更集成。適配性更強:根據芯片燒錄時間長短,可適配1~72sets.根據取放速度要求,可適配2~4吸嘴。 根據所需燒錄芯片種類的不同,可適配不同燒錄核心。UPH:1000~3000支持包裝相...
    2019 - 07 - 16
    F-800U高速通用型編程器 性能特點: 1.支持芯片種類:EEPROM,SPI FLASH,NOR FALSH,NAND FLASH,MCU,CPLD,FPGA,eMMC等 2.支持芯片封裝:SOIC,SOP,TSOP,PLCC,QFP,QFN,SON,BGA等 3.支持芯片包裝:卷帶Tape Reel,管裝Tube,崔盤Tray 4.高速編程,...
    2019 - 07 - 16
    為什么選擇F-804P系列性價比高,支持器件廣泛,速度快,有競爭的價格強大的的服務支持,擁有專業的資深技術師團隊,快速的提供燒錄方案,節省客戶的研發時間靈活性高,一臺機電腦可以同時連接8臺或更多的主機解決,可任意設定主機編號,便于作業操作取放。接近極限的編程速度:eMMC器件讀寫速度可達20MBytes/秒(基本實現EMMC的極限速度);最高支持48MHz讀寫脈沖,讀寫速度接近器件的極限。編程+校...
    2016 - 11 - 06
    專業eMMC超級編程器新一代專業支持eMMC超級編程器F-801E,功能強大、操作省時、穩定高效: 支持eMMC全系列封裝:12*16mm/12*18mm/14*18mm/ 11.5*13mm等; 支持eMMC全系列管腳:153Pin /162Pin/169Pin/186Pin等; 支持eMMC各規格版本:4.1/4.2/4.3/4.41/4.5/5.0; ...
    推薦下載 / Download More

    半導體行業3D NAND Flash

    日期: 2016-10-21
    瀏覽次數: 756

    3D NAND Flash 作為新一代的存儲產品,受到了業內的高度關注!但目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND 芯片,而且已經送樣,三星一家獨大的情況將畫下句點,加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰一觸即發。

    半導體行業3D NAND Flash
    什么是3D NAND閃存?
    從新聞到評測,我們對3D NAND閃存的報道已經非常多了,首先我們要搞懂什么是3D NAND閃存。


    我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。



    3D NAND閃存也不再是簡單的平面內存堆棧,這只是其中的一種,還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結構。


    3D NAND閃存有什么優勢?


    在回答3D NAND閃存有什么優勢的時候,我們先要了解平面NAND遇到什么問題了——NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分,為了進一步提高容量、降低成本,NAND的制程工藝也在不斷進步,從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND閃存跟處理器不一樣,先進工藝雖然帶來了更大的容量,但NAND閃存的制程工藝是雙刃劍,容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降,因為工藝越先進,NAND的氧化層越薄,可靠性也越差,廠商就需要采取額外的手段來彌補,但這又會提高成本,以致于達到某個點之后制程工藝已經無法帶來優勢了。

    相比之下,3D NAND解決問題的思路就不一樣了,為了提高NAND的容量、降低成本,廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了,轉而堆疊更多的層數就可以了,這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了,比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2,而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2,48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。


    傳統的平面NAND閃存現在還談不上末路,主流工藝是15/16nm,但10/9nm節點很可能是平面NAND最后的機會了,而3D NAND閃存還會繼續走下去,目前的堆棧層數不過32-48層,廠商們還在研發64層甚至更高層數的堆棧技術。

    四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色

    在主要的NAND廠商中,三星最早量產了3D NAND,其他幾家公司在3D NAND閃存量產上要落后三星至少2年時間,Intel、美光去年才推出3D NAND閃存,Intel本月初才發布了首款3D NAND閃存的SSD,不過主要是面向企業級市場的。

    這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術不同,堆棧的層數也不一樣,而Intel在常規3D NAND閃存 ?? ?之外還開發了新型的3D XPoint閃存,它跟目前的3D閃存有很大不同,屬于殺手锏級產品,值得關注。


    上述3D NAND閃存中,由于廠商不一定公布很多技術細節,特別是很少提及具體的制程工藝,除了三星之外其他廠商的3D NAND閃存現在才開始推向市場,代表性產品也不足。


    三星:最早量產的V-NAND閃存


    三星是NAND閃存市場最強大的廠商,在3D NAND閃存上也是一路領先,他們最早在2013年就開始量產3D NAND閃存了。在3D NAND路線上,三星也研究過多種方案,最終量產的是VG垂直柵極結構的V-NAND閃存,目前已經發展了三代V-NAND技術,堆棧層數從之前的24層提高到了48層,TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。


    值得一提的是,三星在3D NAND閃存上領先不光是技術、資金的優勢,他們首先選擇了CTF電荷擷取閃存(charge trap flash,簡稱CTF)路線,相比傳統的FG(Floating Gate,浮柵極)技術難度要小一些,這多少也幫助三星占了時間優勢。


    有關V-NAND閃存的詳細技術介紹可以參考之前的文章:NAND新時代起點,三星V-NAND技術詳解


    東芝/閃迪:獨辟蹊徑的BiCS技術


    東芝是閃存技術的發明人,雖然現在的份額和產能被三星超越,不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大,很早就投入3D NAND研發了,2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了,2D NAND閃存簡單堆棧是可以作出3D NAND閃存的,但制造工藝復雜,要求很高,而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling,強調的就是隨NAND規模而降低成本,號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低,也意味著成本更低。


    東芝和閃迪是戰略合作伙伴,雙方在NAND領域是共享技術的,他們的BiCS閃存去年開始量產,目前的堆棧層數是48層,MLC類型的核心容量128Gb,TLC類型的容量可達256Gb,預計會在日本四日市的Fab 2工廠規模量產,2016年可以大量出貨了。


    SK Hynix:悶聲發財的3D NAND


    在這幾家NAND廠商中,SK Hynix的3D NAND最為低調,相關報道很少,以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND閃存資料,不過從官網公布的信息來看,SK Hynix的3D NAND閃存已經發展了3代了,2014年Q4推出的第一代,2015年Q3季度推出的第二代,去年Q4推出的則是第三代3D NAND閃存,只不過前面三代產品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動市場,今年推出的第四代3D NAND閃存則會針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產品市場。

    SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步,不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存,MLC類型的容量128Gb,TLC類型的也可以做到256Gb容量。


    Intel/美光:容量最高的3D NAND閃存


    這幾家廠商中,Intel、美光的3D NAND閃存來的最晚,去年才算正式亮相,不過好菜不怕晚,雖然進度上落后了點,但IMFT的3D NAND有很多獨特之處,首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術量產的,所以在成本及容量上更有優勢,其MLC類型閃存核心容量就有256Gb,而TLC閃存則可以做到384Gb,是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。

    SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步,不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存,MLC類型的容量128Gb,TLC類型的也可以做到256Gb容量。


    Intel/美光:容量最高的3D NAND閃存


    這幾家廠商中,Intel、美光的3D NAND閃存來的最晚,去年才算正式亮相,不過好菜不怕晚,雖然進度上落后了點,但IMFT的3D NAND有很多獨特之處,首先是他們的3D NAND第一款采用FG浮柵極技術量產的,所以在成本及容量上更有優勢,其MLC類型閃存核心容量就有256Gb,而TLC閃存則可以做到384Gb,是目前TLC類型3D NAND閃存中容量最大的。


    半導體行業3D NAND Flash

    384Gb容量還不終點,今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND閃存論文,雖然短時間可能不會量產,但已經給人帶來了希望。


    Intel的殺手锏:3D XPoint閃存


    IMFT在3D NAND閃存上進展緩慢已經引起了Intel的不滿,雖然雙方表面上還很和諧,但不論是16nm閃存還是3D閃存,Intel跟美光似乎都有分歧,最明顯的例子就是Intel都開始采納友商的閃存供應了,最近發布的540s系列硬盤就用了SK Hynix的16nm TLC閃存,沒有用IMFT的。


    Intel、美光不合的證據還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠,準備量產新一代閃存,很可能就是3D XPoint閃存,這可是Intel的殺手锏。

    這個3D XPoint閃存我們之前也報道過很多了,根據Intel官方說法,3D XPoint閃存各方面都超越了目前的內存及閃存,性能是普通顯存的1000倍,可靠性也是普通閃存的1000倍,容量密度是內存的10倍,而且是非易失性的,斷電也不會損失數據。


    由于還沒有上市,而且Intel對3D XPoint閃存口風很嚴,所以我們無法確定3D XPpoint閃存背后到底是什么,不過比較靠譜的說法是基于PCM相變存儲技術,Intel本來就是做存儲技術起家的,雖然現在的主業是處理器,但存儲技術從來沒放松,在PCM相變技術上也研究了20多年了,現在率先取得突破也不是沒可能。


    相比目前的3D NAND閃存,3D XPoint閃存有可能革掉NAND及DRAM內存的命,因為它同時具備這兩方面的優勢,所以除了做各種規格的SSD硬盤之外,Intel還準備推出DIMM插槽的3D XPoint硬盤,現在還不能取代DDR內存,但未來一切皆有可能。


    3D NAND技術進展


    2016年年下半除東芝(TOSHIBA)就64層3D NAND閃存展開送樣出貨外,三星電子電子(Samsung Electronics),美光(美光),SK海力士(SK海力士)等記憶體業者亦將陸續量產,將促使3D NAND閃存垂直堆疊最高層數自64層朝2017年年的80層邁進.DIGITIMES研究觀察,由于干蝕刻使用在64層以上更高堆疊層數的三維NAND閃存,其蝕刻速度與正確性可望優于濕蝕刻,將使三星于64層以上的3D NAND閃存轉向干蝕刻發展的可能性提升。


    垂直通道(垂直通道)構造的三維NAND閃存系指字元線(字線,WL)與位元線(位 棧)構造,垂直通道具備成本優勢,成為記憶體業者發展的三維NAND閃存所采主流構造。


    隨3D NAND Flash持續朝64層以上更高垂直堆疊層數邁進,製程中需貫通至底部的蝕刻厚度將較以往增加,且蝕刻精密度亦將提升。


    濕蝕刻與乾蝕刻主要特性,濕蝕刻具備縱向與橫向同時蝕刻的效果,乾蝕刻則朝單一方向蝕刻,而濕蝕刻可運用只對被蝕刻物產生化學反應的材料,其蝕刻選擇性(Selectivity)優于乾蝕刻。


    DIGITIMES研究觀察,干蝕刻相對濕蝕刻適用于線寬較小的制程,如應用于64層以上的3D NAND NAND閃存制程。


    半導體行業3D NAND Flash

    國內的3D NAND進展


    由于國家政策和大基金的支持,中國大陸現在也把存儲芯片作為重點來抓,3D NAND也順理成章成為廣大廠商關注的重點,早前被紫光納入旗下的武漢新芯科技(XMC)很早已經在武漢開工建設12英寸晶圓廠,第一個目標就是NAND閃存,而且是直接切入3D NAND閃存,他們的3D NAND技術來源于飛索半導體(Spansion),而后者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR閃存部門合并而來,后來他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價格收購。


    2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協議,雙方合作研發、生產3D NAND閃存,主要以后者的MirrorBit閃存技術為基礎。搜遍了網絡也沒找到多少有關MirrorBit的技術資料。這兩家公司的閃存技術多是NOR領域的,3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的,有一種說法是MirrorBit的堆棧層數只有8層,如果真是這樣,相比主流的32-48層堆棧就差很遠了,成本上不會有什么優勢。



    更多資訊請關注我公司微信公眾號

    半導體行業3D NAND Flash

    半導體行業3D NAND Flash


    相關新聞 / 推薦新聞 More
    2021 - 12 - 28
    感謝多年以來的支持,蘇州永創智能科技有限公司,提供IC 燒錄一站式服務 ,擁有十幾年專業代燒錄經驗,專注于IC燒錄事業!One-Stop-IC programming Service IC燒錄是由專業的芯片燒錄廠商利用專業的燒錄設備為需要將程序灌入芯片的電子制造商將程序灌入芯片中。 燒錄方式為非在線生產(即在上線生產之前把程序灌入芯片,再貼片生產)。---隨著電子業的競爭不斷加劇,為降低成本.社會分工越來越細,IC代燒成為行業趨勢! 您還在為超多、超趕、超難的IC燒錄而繁忙嗎?歡迎致電--蘇州永創智能科技有限公司國內最專業的IC代燒錄方案服務商為您提供最專業的IC代燒方案,滿足您對IC燒錄的所有需求,讓您的工作更輕松! 手動燒不如自動燒,自動燒不如找蘇州永創燒 ! 服務特色 :速度/品質/管理/技術/安全一:快速量產,交貨迅速現場各類全自動化燒錄設備...
    2019 - 06 - 06
    BGA(ball grid array)BGA封裝實物 [1]球形觸點陣列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI 芯片,然后用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm 的360 引腳BGA僅為31mm 見方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的,首先在便攜式電話等設備中被采用,今后在美國有可能在個人計算機中普及。最初,BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數為225?,F在也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查...
    2018 - 08 - 03
    什么是LGA、PGA、BGA類型的封裝?眾所周知,CPU封裝的類型主要為三種:LGA,PGA,BGA,其中LGA封裝是最常見的,intel處理器都是采用這種類型的封裝,而PGA封裝則是AMD常用的一種封裝類型。而今天裝機之家幫大家科普一下關于CPU封裝的知識,帶來LGA、PGA、BGA三種封裝方式對比,希望大家會喜歡。什么是CPU的封裝?CPU的物理結構由晶圓與PCB加上其他電容等單元構成的。 晶圓至于晶圓為什么是圓的,主要是因為工藝以及后期方便切割以及利用率的考慮。那么切割下來一個小方塊就是CPU上的一個晶圓了。 ▲CPU的物理構成。那么一顆CPU晶圓切割下來,與PCB連接,然后加上或者不加上保護蓋,這就是一個完整的CPU了。但是!一顆CPU并不能可以工作了,他需要和主板連接,那么這個與主板連接的方式,就叫做封裝。(有點小饒,但是相信你可以明白)封裝的類型主要為三種:...
    2018 - 07 - 27
    NOR Flash閃存技術是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。Intel于1988年首先開發出NOR Flash 技術,徹底改變了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲器)和EEPROM(電可擦只讀存儲器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND Flash 結構,強調降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NOR Flash 的特點是芯片內執行(XIP ,eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在Flash閃存內運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR 的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響...
    關閉窗口】【打印
    Copyright ?20008 - 2021 蘇州永創智科技有限公司
    犀牛云提供企業云服務
  • <nav id="usomw"></nav><nav id="usomw"></nav>
    欲色精品一区二区三区99人妻丰满熟妇AV无码区APP,全彩工口全肉无遮挡人妻,丰满女子BBWBBWPICS,ZLJZLJZLJZLJ喷水 777人体大胆中国人体哦哦| 91久久精品国产一区二区免费| 国产精品久久久久久宅男| 国内精品视频一区二区三区八戒| 中文字幕亚洲精品乱码在线| 精品欧洲AV无码一区二区三区| 精品久久久久久无码人妻中文字幕| 亚洲国产精品无码专区影院| 国内精品久久久久久久影视麻豆| 国产日产综合|